检测项目
1.晶界取向差角测量：采用EBSD技术测定0-62.8范围内的取向偏差角
2.晶界迁移率测试：在200-1200℃温度区间测定界面迁移速率
3.界面能各向异性分析：通过原子探针层析技术获取三维界面能分布
4.溶质偏聚浓度测定：使用STEM-EDS测量晶界处溶质原子浓度（精度0.1at%）
5.热力学稳定性评估：基于CALPHAD方法计算相场模型参数
6.晶界腐蚀敏感性测试：按ISO17475标准进行电化学极化曲线分析
检测范围
1.金属材料：铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、镍基高温合金（Inconel718）
2.陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、碳化硅（SiC）及氮化硅（Si₃N₄）结构陶瓷
3.半导体材料：单晶硅（c-Si）、砷化镓（GaAs）及氮化镓（GaN）外延层
4.高温超导材料：YBCO涂层导体及Bi-2212线材
5.复合材料：碳纤维/钛基复合材料及SiC颗粒增强铝基复合材料
检测方法
1.ASTME112-13：定量金相学测定平均晶粒度标准方法
2.ISO24173:2009：电子背散射衍射取向测量方法
3.GB/T13298-2015：金属显微组织检验方法
4.GB/T13305-2008：不锈钢中α-相面积含量测定方法
5.ASTME1245-03(2016)：自动图像分析测定夹杂物标准规程
6.ISO17475:2005：电化学阻抗谱腐蚀测试方法
检测设备
1.FEINovaNanoSEM450场发射扫描电镜：配备OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统，空间分辨率达1nm
2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：配备PeakForceQNM模式实现纳米级界面力学特性测量
3.CAMECALEAP5000XR原子探针层析仪：质量分辨率m/Δm＞2000，三维重构精度0.2nm
4.NetzschSTA449F3同步热分析仪：温度范围RT-1550℃，DSC灵敏度＜1μW
5.GatanPlasmaFIB-SEM双束系统：配备OmniProbe™纳米操纵器实现特定晶界定位制备
6.ZEISSCrossbeam550聚焦离子束显微镜：30kVGa+离子束配合EDS/EBSD联用系统
7.PARSTAT4000电化学工作站：频率范围10μHz-1MHz，电流分辨率10fA
8.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：载荷范围0.01-2000gf，定位精度0.5μm
9.OxfordInstrumentsAztecFeature自动夹杂物分析系统：支持EDS面分布与相统计功能
10.Thermo-Calc2023b热力学计算软件：集成TCFE9/TCNI11/MOB4多模块数据库
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
